高周波誘導加熱装置

MU-αシリーズは、従来大型・高価格だった加熱装置をパソコンサイズに凝縮。
物性の研究、半導体の研究、試料作成などの研究開発に最適な機能を備えた、省スペースと高スペックを実現した高周波誘導加熱装置です。

最高温度

高融点材料カーボン、タングステン、モリブデンるつぼを用いることにより最高温度2200℃を可能にします。

[例]真空中で断熱遮断光材にカーボンファイバーを用いてカーボンを加熱。

概要

仕様

  • 急速加熱が行える。
  • 金属を直接加熱すると、30gのCo-Cr合金であれば、1400℃(融点)迄約20秒で加熱することができる。
  • 冷却スピードが早い。
  • 無機材料でできたルツボや炉芯菅は加熱されないので冷却が早い。
  • 炉芯管に石英管を使用すると内部が観察できる。
  • 無機材料でもカーボンルツボ等を使用することで間接加熱できる。
  • 必要な部位のみでの加熱ができる。
  • セラミックやプラスチックと金属複合体の場合には、金属のみを加熱することができる。
  • 構造が簡単なのでメンテナンスも容易である。
  • 応用分野としては、グローブボックス等に組込め、不活性ガス中で加熱溶解、燃成が行える。
  • 半導体研究

    半導体研究

    石英管に真空封入した試料を加熱。

  • 流体加熱

    流体加熱

    流路内に各種発熱体(カーボンハニカム、金属リングなど)を配し、液体、粉体、気体を加熱。

  • 電極封入

    電極封入

    局部的に加熱しガラスを溶融させ電極を封入。

  • 焼き入れ、焼きなまし

    焼き入れ、焼きなまし

    20φ.SUS丸棒の場合約30秒で600℃

  • 直接加熱

    直接加熱

    一般的な加熱方法である金属を直接加熱。

  • 真空(ガス置換)

    真空(ガス置換)

    真空.ガス置換ユニット(オプション)にてに試料周辺のみを容易に雰囲気制御可能。

  • 間接加熱

    間接加熱

    純Si、ガラス、灰など誘導によって直接発熱しない試料の加熱・溶融。

  • 真空・加圧容器内

    真空・加圧容器内

    融点、沸点の異なる金属の合金作成や電池材料などの研究に。